Аннотация:
Впервые показано, что субнанометровые покрытия Со, нанесенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$ при температуре 330$^\circ$C, открывают энергетическую щель в спектре топологических поверхностных состояний в области точки Дирака, со смещением положения точки Дирака, вызванным предварительным осаждением адсорбата при комнатной температуре. Ширина щели составляет 21 $\pm$ 6 мэВ. Температурно-зависимые измерения в диапазоне 15–150 K не показали изменения ширины энергетической щели.
Ключевые слова:топологические изоляторы, спинтроника, энергетическая щель в точке Дирака, легирование.
Поступила в редакцию: 15.04.2020 Исправленный вариант: 21.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020