RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 896–901 (Mi phts5167)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью

А. В. Иконниковa, В. C. Дудинa, А. И. Артамкинa, А. Н. Акимовb, А. Э. Климовbc, О. Е. Терещенкоbd, Л. И. Рябоваa, Д. Р. Хохловae

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный технический университет
d Новосибирский государственный университет
e Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Представлены результаты исследований оптических и транспортных свойств эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с различной обработкой поверхности. Сравнительный анализ полученных данных позволил установить, что характерные особенности спектров фотопроводимости определяются процессами в объеме пленки, а поверхностные состояния на спектры практически не влияют. При этом кинетика фотоотклика и скорость релаксационных процессов в существенной степени зависят от состояния поверхности. Характерные времена релаксации неравновесных носителей заряда (порядка нескольких мс) позволяют использовать методы стандартной фурье-спектроскопии для характеризации оптических переходов в объеме.

Ключевые слова: фотопроводимость, кинетика релаксации, поверхностные состояния, PbSnTe.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49828.20


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1086–1091

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024