RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 913–917 (Mi phts5170)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена

Б. С. Швецовab, А. А. Миннехановb, А. А. Несмеловb, М. Н. Мартышовa, В. В. Рыльковbc, В. А. Деминb, А. В. Емельяновbd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
d Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный

Аннотация: Представлены результаты исследования при комнатных температурах эффекта квантования проводимости мемристивных структур на основе органического материала поли-п-ксилилена при резистивном переключении. Показаны методы измерения и проведен сравнительный анализ проявления эффекта при переключении структур в высокоомное и низкоомное состояния. Продемонстрирована возможность задания стабильных квантовых состояний проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена. Показано, что некоторые из этих состояний обладают кратковременной, а некоторые долговременной стабильностью. Полученные результаты открывают новые возможности использования эффекта квантования проводимости в реализации нейроморфных систем.

Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-п-ксилилен, квантование проводимости.

Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49831.23


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:9, 1103–1107

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024