Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с $p$-каналом

Рассматривается воздействие $\gamma$-излучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si–SiO$_{2}$ в МОП-транзисторе с $p$-каналом в пассивном режиме. Наблюдалось несколько процессов поверхностного дефектообразования. Показана роль молекулярного водорода в подзатворном оксиде МОП-транзистора и “горячих” электронов, образующихся в приповерхностной области кремния.