RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 227–230 (Mi phts52)

Низкотемпературная проводимость инверсионных слоев с большой плотностью поверхностных состояний

А. Ф. Кабыченков

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Аннотация: Исследована температурная зависимость проводимости инверсионных слоев кремниевых МДП структур с большой плотностью поверхностных состояний. Установлено, что данные зависимости не описываются одноэлектронной моделью порога подвижности. Полученные результаты интерпретируются с учетом кулоновского взаимодействия между носителями. Последнее создает щель в плотности состояний на уровне Ферми. С увеличением температуры щель схлопывается и активационная проводимость переходит в металлическую. Построена диаграмма состояний носителей в инверсионном слое в координатах концентрация дырок–температура, определяющая области локализации и делокализации носителей.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.05.1985
Принята в печать: 11.07.1985



© МИАН, 2024