RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 7, страницы 677–683 (Mi phts5211)

Физика полупроводниковых приборов

Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)

Е. В. Куницынаa, М. А. Ройзb, И. А. Андреевa, Е. А. Гребенщиковаa, А. А. Пивовароваa, M. Ahmetoglu (Afrailov)c, Е. В. Лебедокd, Р. Ю. Микуличd, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b University of Helsinki, Helsinki 00014, Finland
c Department of Physics, Uludag University, 16059 Gorukle, Bursa, Turkey
d ГНПО "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь

Аннотация: Фотодиоды, созданные на основе твердых растворов в системе GaSb-InAs, были впервые применены для исследования спектральных характеристик одиночных и сдвоенных дисковых WGM-лазеров, излучающих на модах шепчущей галереи в диапазоне 2.2–2.3 мкм. Емкость фотодиодов при диаметре фоточувствительной площадки 2.0 мм составляет $C$ = 520 пФ при $U$ = -2 В, что соответствует постоянной времени $\tau$ = 53 нс. Показано, что параметры созданных фотодиодов позволяют регистрировать излучение квантово-размерных дисковых лазеров при комнатной температуре и не использовать криогенное охлаждение.

Ключевые слова: фотодиоды, GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb-гетероструктуры, квантово-размерные дисковые лазеры, WGM-моды.

Поступила в редакцию: 25.02.2020
Исправленный вариант: 28.02.2020
Принята в печать: 28.02.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49515.9378


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:7, 796–802

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024