Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев и структур на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te

Наблюдалась фотолюминесценция (ФЛ) тонких (${200\div3000}$ Å) слоев РbТе и многослойных гетероструктур (МГС), состоящих из чередующихся тонких (${\sim400}$ Å) слоев РbТе и Pb$_{0.89}$Sn$_{0.11}$Te. Образцы выращивались на подложках (111) BaF$_{2}$ методом «горячей стенки» в случае РbТе и методом мгновенного испарения в вакууме в случае МГС. Измерения спектров ФЛ проводились при низких температурах (${\sim2}$, 4.2, 77 K). Обнаружен квантово-размерный эффект — разбиение спектра на большое число линий (до восьми линий). Достаточно высокая интенсивность излучения свидетельствует в пользу контрвариантной диаграммы гетероперехода PbTe/PbSnTe. В спектрах ФЛ наблюдались сдвиги длинноволнового края излучения (до 20 мэВ) в сторону больших энергий. Эти сдвиги объясняются возникновением в образцах при низкой температуре деформаций, обусловленных различными коэффициентами линейного термического расширения подложки и эпитаксиальных слоев, а также разными постоянными решетки соседних слоев в МГС.