Аннотация:
Исследованы монокристаллы полупроводниковых твердых
растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se, выращенные модифицированным методом
«свободного роста» во всем концентрационном интервале. Спектр локальных центров в запрещенной зоне кристаллов каждого данного
состава определялся методом термостимулированной проводимости,
фотопроводимости и фотолюминесценции в интервале 77$-$300 K. Для всех составов наблюдаются два уровня прилипания основных
носителей тока, глубина залегания которых относительно дна
$c$-зоны увеличивается с ростом $x$. Обнаружены две серии полос люминесценции. Положения максимумов
полос первой серии, включающей три полосы, изменяются с составом
кристаллов так же, как и ширина запрещенной зоны. Положения максимумов
двух полос, отнесенных ко второй серии, от состава не зависят
(за исключением области перехода от кубической структуры кристаллов
к гексагональной, в которой значения изменяются скачком на ${\sim0.16}$ эВ).
Полосы первой серии обусловлены излучательным захватом электронов
на центры акцепторного и комплексного (донорно-акцепторного) типа.
Полосы второй серии обусловлены внутрицентровыми переходами.