RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 461–465 (Mi phts5230)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

А. А. Кононовa, Р. А. Кастро Аратаa, Д. Д. Главнаяa, В. М. Стожаровa, Д. М. Долгинцевa, Ю. Сайтоb, П. Фонсb, Н. И. Анисимоваa, А. В. Колобовab

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 305-8565 Цукуба Централ 5, 1-1-1 Хигаси, Цукуба, Япония

Аннотация: Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS$_{2}$ методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса $E_{a}$ и энергия активации проводимости $E_{\sigma}$. Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса $E_{a}$ и процесса переноса заряда $E_{\sigma}$ позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса.

Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.

Поступила в редакцию: 13.01.2020
Исправленный вариант: 17.01.2020
Принята в печать: 17.01.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49262.9345


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:5, 558–562

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024