RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 470–477 (Mi phts5232)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

$S$-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока

А. Г. Тандоев, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»

Аннотация: Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования.

Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.

Поступила в редакцию: 24.12.2019
Исправленный вариант: 28.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49264.9339


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:5, 567–574

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024