RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 478–483 (Mi phts5233)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

О. С. Соболева, В. С. Головин, В. С. Юферев, П. С. Гаврина, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска $\sim$65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения.

Ключевые слова: лазер-тиристор, локализация тока, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.

Поступила в редакцию: 26.12.2019
Исправленный вариант: 30.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:5, 575–580

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024