RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 484–489 (Mi phts5234)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, И. С. Шашкин, П. С. Гаврина, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлена сосредоточенная модель динамики управляемой конкуренции высокодобротных замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера (до 1 $\times$ 1 мм и более) на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Модель рассматривает модуляцию полезной мощности замкнутой модовой структуры за счет управляемого переключения генерации на альтернативную замкнутую моду. Управление переключением генерации между замкнутыми модовыми структурами реализуется за счет изменения оптических потерь одной из структур. Изменение оптических потерь происходит за счет возрастания межзонного оптического поглощения вследствие квантоворазмерного эффекта Штарка при приложении напряжения к сегменту лазерного кристалла в области распространения замкнутой моды.

Ключевые слова: замкнутая мода, лазерная гетероструктура, квантоворазмерный эффект Штарка.

Поступила в редакцию: 15.01.2020
Исправленный вариант: 21.01.2020
Принята в печать: 21.01.2020

DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49266.9343


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:5, 581–586

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024