Эта публикация цитируется в
7 статьях
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Исследование примеси магния в кремнии
Л. М. Порцельa,
В. Б. Шуманa,
А. А. Лаврентьевa,
А. Н. Лодыгинa,
Н. В. Абросимовb,
Ю. А. Астровa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация:
Измерены диффузионные профили концентрации электрически активной и полной концентрации примеси магния в кремнии. Диффузия проводилась сэндвич-методом в бестигельный бездислокационный кремний
$n$-типа проволимости при температурах
$T_{\operatorname{diff}}$ = 1000, 1100
$^\circ$С и длительности процесса от 0.5 до 22.5 ч. Профили концентрации электрически активной компоненты магния
$N_{\mathrm{Mg_i}}(x)$ определяли методом дифференциальной проводимости, профили полной концентрации
$N_{\operatorname{total}}(x)$ – методом вторично-ионной масс-спектроскопии. Установлено, что полная концентрация магния в образцах на
$\sim$2 порядка превосходит концентрацию электрически активной компоненты. Обнаружено также, что коэффициент диффузии межузельного магния,
$D_{\mathrm{Mg_i}}$, зависит от времени диффузии и уменьшается при увеличении длительности процесса. Высказаны предположения о физических процессах, которые могут приводить к образованию электрически неактивной компоненты примеси магния и зависимости эффективного коэффициента диффузии от времени.
Ключевые слова:
легирование кремния, диффузия, примесные центры, собственные дефекты.
Поступила в редакцию: 25.11.2019
Исправленный вариант: 05.12.2019
Принята в печать: 05.12.2019
DOI:
10.21883/FTP.2020.04.49134.9318