RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 321–326 (Mi phts5237)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Исследование примеси магния в кремнии

Л. М. Порцельa, В. Б. Шуманa, А. А. Лаврентьевa, А. Н. Лодыгинa, Н. В. Абросимовb, Ю. А. Астровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany

Аннотация: Измерены диффузионные профили концентрации электрически активной и полной концентрации примеси магния в кремнии. Диффузия проводилась сэндвич-методом в бестигельный бездислокационный кремний $n$-типа проволимости при температурах $T_{\operatorname{diff}}$ = 1000, 1100$^\circ$С и длительности процесса от 0.5 до 22.5 ч. Профили концентрации электрически активной компоненты магния $N_{\mathrm{Mg_i}}(x)$ определяли методом дифференциальной проводимости, профили полной концентрации $N_{\operatorname{total}}(x)$ – методом вторично-ионной масс-спектроскопии. Установлено, что полная концентрация магния в образцах на $\sim$2 порядка превосходит концентрацию электрически активной компоненты. Обнаружено также, что коэффициент диффузии межузельного магния, $D_{\mathrm{Mg_i}}$, зависит от времени диффузии и уменьшается при увеличении длительности процесса. Высказаны предположения о физических процессах, которые могут приводить к образованию электрически неактивной компоненты примеси магния и зависимости эффективного коэффициента диффузии от времени.

Ключевые слова: легирование кремния, диффузия, примесные центры, собственные дефекты.

Поступила в редакцию: 25.11.2019
Исправленный вариант: 05.12.2019
Принята в печать: 05.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49134.9318


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:4, 393–398

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024