RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 4, страницы 341–345 (Mi phts5240)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Комбинационное рассеяние света в эвтектическом композите InSb–MnSb

И. Х. Мамедовa, Д. Г. Араслыb, Р. Н. Рагимовb, А. А. Халиловаb

a Национальная академия авиации Азербайджана, Баку, Бина, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучены спектры комбинационного рассеяния света объeмных образцов эвтектического композита InSb-MnSb и их тонких плeнок, полученных методом мгновенного испарения. В спектрах комбинационного рассеяния света объeмных образцов наблюдены TO- и LO-моды InSb на частотах 179.5 и 192.4 см$^{-1}$, а также пики на частотах 122, 127, 167, 211, 245.5 см$^{-1}$, близкие к теоретическим данным о фононных частотах для MnSb, имеющимся в литературе. В спектре комбинационного рассеяния света плeнок TO-мода смещена в сторону меньших энергий – 178 см$^{-1}$, а LO-мода более высоких – 196 см$^{-1}$. Высокочастотное смещение LO-моды в композите по сравнению с еe значением в InSb, возможно, обусловлено наличием деформации на границе матрица-включение, а также вкладом рассеяния на поверхностных фононах.

Ключевые слова: эвтектический композит, тонкие пленки, комбинационнoе рассеяниe света.

Поступила в редакцию: 19.11.2019
Исправленный вариант: 04.12.2019
Принята в печать: 04.12.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.04.49137.9315


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:4, 412–416

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024