Аннотация:
Проведено исследование спектров поглощения антимонида галлия
$p$-типа, обусловленного свободными дырками, в широком диапазоне концентраций
(${2.9\cdot10^{17}\div3\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) и
температур (${1.7\div300}$ K). Показано, что вблизи края фундаментального
поглощения наблюдается поглощение, связанное с оптическими переходами между
различными ветвями валентной зоны. Измерен коэффициент внутризонного
поглощения, который в сильно легированных полупроводниках достигает значений
${3\cdot10^{3}\,\text{см}^{-1}}$, что сравнимо с собственным поглощением.
Измерено значение спин-орбитального расщепления валентной зоны,
${\Delta_{0}=0.76\pm0.1}$.