Эта публикация цитируется в
2 статьях
Физика полупроводниковых приборов
Исследование электростатической системы поверхности кристаллов AuNi/GaN диодов Шоттки методом зонда Кельвина атомно-силовой микроскопии
Н. А. Торховabc,
В. А. Новиковc a АО "НИИПП", Томск, Россия
b Томский университет автоматизированных систем управления (ТУСУР)
c Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
Атомно-силовые микроскопические исследования электростатической системы поверхности кристаллов плоских AuNi/
$n$–
$n^{+}$-GaN диодов Шоттки показали, что значение работы выхода электронов с поверхности металлических контактов Шоттки зависит от их линейного размера – диаметра
$D$. При
$D>$ 120 мкм значение работы выхода центральной области контактов приближается к значению работы выхода сплошной металлической пленки золота
$e\varphi_{\mathrm{Au}}\approx$ 5.40 эВ. Уменьшение диаметра приводит к уменьшению работы выхода до 5.34 эВ для
$D$ = 120 мкм, 5.21 эВ для
$D$ = 40 мкм, 5.18 эВ для
$D$ = 10 мкм и 5.14 эВ для
$D$ = 5 мкм. Наблюдаемое уменьшение значений работы выхода с уменьшением диаметра связано с увеличивающимся влиянием встроенного электростатического поля периферии
$\mathbf{E}_{l}$, которое определяется площадью и периметром контактов Шоттки. Принципиальные отличия термодинамических и электростатических систем омических TiAlNiAu/
$n^{+}$-GaN-контактов (в отличие от аналогичных систем AuNi/
$n$-GaN-контактов Шоттки) указывают на отсутствие в них барьера Шоттки и преобладающую роль термоэмиссионного механизма переноса подвижных носителей электрических зарядов.
Ключевые слова:
нитрид галлия, барьер Шоттки, омический контакт, электростатическое поле периферии, размерный эффект, метод зонда Кельвина АСМ.
Поступила в редакцию: 03.07.2019
Исправленный вариант: 20.09.2019
Принята в печать: 21.10.2019
DOI:
10.21883/FTP.2020.03.49031.9203