Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям

Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350–500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях $p$–$n$-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений $p$–$n$-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области.