RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 296–303 (Mi phts5268)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями

Ф. И. Зубовa, М. Е. Муретоваa, А. С. Паюсовb, М. В. Максимовb, А. Е. Жуковa, Л. В. Асрянc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA

Аннотация: В лазере с асимметричными барьерными слоями два тонких асимметричных барьерных слоя, прилегающих к активной области по обе стороны, направлены на предотвращение биполярной заселенности волноводных слоев и соответственно подавление паразитной рекомбинации в них. В работе предложена теоретическая модель лазера с асимметричными барьерными слоями, основанная на скоростных уравнениях, и учитывающая нежелательную утечку носителей заряда, которая неизбежно происходит в лазерах такого типа, реализуемых на практике. Получены решения уравнений для стационарного случая. На примере лазера на квантовой яме InGaAs/GaAs (длина волны лазерного излучения $\lambda$ = 980 нм) исследовано влияние утечек сквозь асимметричные барьерные слои на приборные характеристики. Оценены степени подавления паразитных потоков за счет асимметричных барьерных слоев, необходимые для устранения негативного влияния волноводной рекомбинации. Для рассматриваемого случая эффект от асимметричных барьерных слоев становится заметен при степенях подавления паразитных потоков C $\ge$ 10$^{2}$. Для подавления 90% паразитного тока требуется C $\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{4}$. В работе также исследовано воздействие асимметричных барьерных слоев на полезные потоки носителей, поступающих в активную область.

Ключевые слова: диодные лазеры, асимметричные барьерные слои, паразитная волноводная рекомбинация.

Поступила в редакцию: 12.11.2019
Исправленный вариант: 15.11.2019
Принята в печать: 15.11.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.03.49036.9311


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:3, 366–373

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024