Получение тонких пленок теллурида висмута на полиимидных подложках методом импульсного лазерного осаждения

В настоящей работе сообщается об особенностях получения тонких термоэлектрических пленок $p$-Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ с характерной толщиной $\sim$300 нм на полиимидном материале методом импульсного лазерного осаждения. Рассмотрено влияние температуры роста, давления и расстояния между мишенью и подложкой на свойства пленок. Достигнуты высокие значения коэффициента Зеебека 220 и -200 мкВ/К, но факторы электрической мощности для пленок $p$- и $n$-типа составили 9.7 и 5.0 мкВт/см $\cdot$ K$^{2}$ соответственно из-за достаточно высоких сопротивлений пленок.