А. Р. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Д. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2,страницы 149

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления

А. Р. Кастро Арата^a, В. М. Стожаров^a, Д. М. Долгинцев^a, А. А. Кононов^a, Ю. Сайто^b, П. Фонс^b, Д. Томинага^b, Н. И. Анисимова^a, А. В. Колобов^a

^a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^b Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 305-8565 Хигаси, Цукуба, Япония

Аннотация: Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge–Sb–Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений.

Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge–Sb–Te.

Поступила в редакцию: 15.10.2019
Исправленный вариант: 23.10.2019
Принята в печать: 23.10.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48895.9287