RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 18–21 (Mi phts5293)

Электронные свойства полупроводников

Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Ю. В. Кожановаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Исследовано влияние примесей Fe, Mn на магнитные параметры широкозонных полупроводниковых пленок ZnO, полученных методом высокочастотного распыления при широком варьировании концентрации дефектов. Введение магнитных примесей Mn, Fe приводит наличию магнитоупорядоченного состояния в полупроводниковой матрице с различным положением оси легкого намагничивания, расположенной в случае легирования Mn перпендикулярно плоскости пленки, в случае Fe – в плоскости пленки ZnO.

Ключевые слова: широкозонный полупроводник, пленки ZnO, металлические 3$d$ примеси Fe, Mn.

Поступила в редакцию: 28.03.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48762.9119


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 15–18

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024