RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 36–43 (Mi phts5297)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Высокочастотная проводимость неупорядоченных полупроводников в области перехода от линейной к квадратичной частотной зависимости

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Рассмотрены особенности высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников, связанные с прыжковым транспортом электронов по примесной зоне. В рамках парного приближения проведен расчет частотной зависимости вещественной части низкотемпературной бесфононной проводимости в области перехода (кроссовера) от линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости. Показано, что кроссовер в терагерцовом диапазоне частот связан с переходом от режима проводимости с переменной длиной прыжка к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка с ростом частоты.

Ключевые слова: высокочастотная прыжковая проводимость, универсальность частотной зависимости проводимости, неупорядоченные полупроводники.

Поступила в редакцию: 18.03.2019
Исправленный вариант: 02.09.2019
Принята в печать: 05.09.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48766.9106


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 33–39

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024