RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 69–73 (Mi phts5309)

Физика полупроводниковых приборов

Неодномерный эффект $dU/dt$ в мощных тиристорах

С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»

Аннотация: Описана методика, позволяющая учесть влияние элементов конструкции мощного тиристора на его $dU/dt$-стойкость. Предложена простая модель, с помощью которой можно найти параметры вспомогательной тиристорной структуры регенеративного управляющего электрода, обеспечивающие заданную стойкость тиристора к эффекту $dU/dt$. Найдена минимально возможная величина отпирающего тока управления тиристора, ограниченная заданной величиной предельной скорости нарастания напряжения.

Ключевые слова: мощный тиристор, элементы конструкции, эффект dU/dt, отпирающий ток управления.

Поступила в редакцию: 11.04.2019
Исправленный вариант: 23.07.2019
Принята в печать: 29.08.2019

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48777.9137


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2020, 54:1, 112–116

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024