RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1641–1645 (Mi phts5326)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрон-фононное взаимодействие в квантовых ямах на основе одноосных материалов

А. Ю. Маслов, О. В. Прошина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Теоретически исследовано взаимодействие заряженных частиц с интерфейсными оптическими фононами в квантовых ямах, изготовленных с использованием одноосных материалов. Показано, что характер такого взаимодействия существенно зависит от степени анизотропии фононного спектра материалов квантовой ямы и барьеров. При сильной анизотропии взаимодействие оказывается значительно меньше, чем в аналогичных структурах, изготовленных из материалов кубической симметрии. В случае слабой фононной анизотропии найдены условия, при которых взаимодействие заряженных частиц с оптическими фононами можно описывать константой связи фрелиховского типа. При этом в различных структурах может реализоваться как слабое, так и сильное электрон-фононное взаимодействие. Полученные результаты расширяют возможности оптической диагностики квантовых наноструктур.

Ключевые слова: квантовая яма, одноосные материалы, интерфейсные оптические фононы, электрон-фононное взаимодействие, полярон.

Поступила в редакцию: 25.06.2019
Исправленный вариант: 23.07.2019
Принята в печать: 25.07.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48618.9198


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:12, 1617–1621

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024