Аннотация:
Для полупроводниковой системы Ge–Sb–Te цилиндрической конфигурации приближенно решено уравнение теплопроводности, описывающее токовый шнур в полупроводнике. Показано, что при бесконечно больших временах ток в шнуре пропорционален квадрату максимальной температуры в центре шнура и обратно пропорционален величине приложенного электрического поля. Оценен масштаб латерального тока, протекающего перпендикулярно току основного шнура, и установлено, что латеральный ток мал по сравнению с током, протекающим в шнуре, так что возникновение латеральных шнуров, растущих из основного шнура, мало вероятно.
Ключевые слова:халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект памяти, шнурование тока, латеральный ток.
Поступила в редакцию: 29.05.2019 Исправленный вариант: 08.07.2019 Принята в печать: 10.07.2019