RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1708–1713 (Mi phts5339)

Физика полупроводниковых приборов

Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)

А. М. Надточийa, Ю. М. Шерняковb, М. М. Кулагинаb, А. С. Паюсовb, Н. Ю. Гордеевb, М. В. Максимовa, А. Е. Жуковa, T. Denneulincd, N. Cherkashind, В. А. Щукинe, Н. Н. Леденцовe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Peter Grünberg Institute, Jülich, (PGI-5), Jülich, Germany
d CEMES – CNRS, Toulouse Cedex 4, France
e VI Systems GmbH, Berlin, Germany

Аннотация: Продемонстрирована лазерная генерация в оранжевой области спектра (599–605 нм) в лазерных диодах (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{0.5}$In$_{0.5}$P–GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs (211)A и (322)A. Активная область представляла собой 4 слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$P вертикально-связанных квантовых точек. Для подавления утечки неравновесных электронов из активной области использовались барьерные вставки, состоящие из четырех квантово-размерных слоев твердого раствора InGaAlP с высоким содержанием Ga. Максимальная выходная оптическая мощность в импульсном режиме составила 800 мВт и была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал. Лазеры, изготовленные из структур, выращенных на подложках (322)А, демонстрируют меньшую пороговую плотность тока, большую дифференциальную квантовую эффективность и меньшие внутренние потери по сравнению с лазерами, изготовленными из структур, выращенных на подложках (211)А, что объясняется более высоким барьером для неравновесных электронов в первом случае.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, квантовые точки, оранжевое излучение.

Поступила в редакцию: 23.07.2019
Исправленный вариант: 29.07.2019
Принята в печать: 29.07.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48631.9217


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:12, 1699–1704

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024