Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs

Впервые рассмотрена возможность использования латеральных наноструктур Ga(In)AsP, выращенных каталитическим методом в квазизамкнутом объеме из паров фосфора и индия на поверхности GaAs (100) в качестве антиотражающего покрытия для фотоэлектрических приборов. Показано, что при фиксированной температуре роста возможно управление морфологией поверхности путем изменения времени роста. Морфологию поверхности исследовали методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии. Показана связь структуры поверхности с ее антиотражательными свойствами в диапазоне 400–800 нм. Использование данного покрытия в фотоэлементах на основе GaAs показало существенное увеличение внешнего квантового выхода фотопреобразователей.