Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN

Представлены результаты исследования процессов фотохимического травления, осуществленных без приложения внешнего напряжения, структур с Ga- и N-полярными слоями GaN, синтезированными методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что скорость травления слоев с разной полярностью сильно различается. При этом использование для травления слоев GaN масок на основе золота вместо титана также позволяет повысить скорость травления слоев.