Напряжение насыщения и коэффициент усиления по току $N^{+}{-}N{-}P{-}N^{+}$-гетеротранзисторов с варизонным коллектором

Предложена теория работы высоковольтного гетеротранзистора с варизонным коллектором в стационарных режимах насыщения. В основу теории наряду с другими факторами положен фундаментальный для высоковольтных транзисторных структур эффект модуляции проводимости слабо легированной коллекторной области. Показано, что в гетеротранзисторах с варизонным коллектором в отличие от традиционных эффективность процесса модуляции сохраняется на высоком уровне и при повышенных плотностях коллекторного тока. В этих транзисторах в отличие от традиционных удается совместить большой коэффициент усиления по току с низким падением напряжения на приборе. Предложенная теория применима и к обычным $n^{+}{-}n{-}p{-}n^{+}$-структурам. Основные ее результаты находятся в хорошем согласии с экспериментом.