Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN

Методом комбинационного рассеяния света проведен анализ структурного совершенства объемных кристаллов АlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN. Рост на затравках SiC осуществлялся с сохранением затравки SiC в процессе роста (тип 1), с полным испарением затравки SiC (тип 2) и на затравках AlN в вольфрамовых контейнерах, не имеющих графитовых деталей (тип 3). Согласно анализу спектров методом комбинационного рассеяния света, наиболее качественными являются кристаллы типа 3, характеризующиеся минимальным значением полной ширины на половине высоты линий. Наблюдаемые в этой работе особенности обусловлены различиями в механизме роста и содержанием легирующих примесей в выращиваемых кристаллах.