Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора

Исследуются различные варианты формирования омических контактов к легированным бором $\delta$-слоям, созданным в эпитаксиальных структурах CVD-алмаза. В первом варианте на поверхности алмаза формировался дополнительный тонкий сильно легированный слой, к которому и формировался омический контакт. Затем поверхностный $p^{+}$-слой между контактными площадками стравливался, поэтому протекание тока в структуре происходило только по заглубленному $\delta$-слою. Во втором случае проводился селективный рост сильно легированного алмаза в контактных окнах под маской металла после предварительного травления нелегированного слоя алмаза (cap) до $\delta$-слоя. При этом сильно легированный $p^{+}$-слой будет образовывать торцевой контакт к $\delta$-слою. Эти два варианта отличаются условиями применимости, трудоемкостью технологии изготовления, величиной контактного сопротивления и могут быть использованы для решения задач, в которых требуется различное качество контактов, таких как формирование транзисторных структур или тестовых ячеек для измерения электрофизических характеристик.