Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10,страницы 1391

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов

Т. А. Шоболова^a, А. В. Коротков^a, Е. В. Петрякова^a, А. В. Липатников^a, А. С. Пузанов^a, С. В. Оболенский^a, В. А. Козлов^b

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Обсуждаются подходы к решению задачи создания эффективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов радио- и сверхвысоких частот (0.1–10 ГГц), которые могли бы использоваться в качестве активных элементов современных Si- и GaAs-радиационно стойких аналого-цифровых интегральных схем. Проведено сравнение радиационной стойкости перспективных “латеральных” Si-биполярных и “вертикальных” AlGaAs/GaAs-гетеробиполярных транзисторов с характерной толщиной базы 70–350 нм. Детально проанализированы особенности транспорта электронов в активной области транзисторов и оценено влияние эффекта всплеска скорости и диффузии квазибаллистических электронов на повышение радиационной стойкости транзисторов.

Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, кремний-на-сапфире, транспорт электронов, моделирование, радиационная стойкость.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48295.41