RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1413–1418 (Mi phts5388)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Микроволновое магнитопоглощение в HgSe с примесью Co и Ni

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, Д. А. Фроловa, В. И. Окуловb, Т. Е. Говорковаb, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет

Аннотация: Изучены особенности магнитозависимого микроволнового поглощения в образцах HgSe, легированных примесью Co и Ni в различной концентрации. Обнаружены спектры электронного парамагнитного резонанса слабо взаимодействующих атомов Co и особенности изменения магнитопоглощения при переходе магнитного поля через нулевое значение. Определены основные параметры спектров электронного парамагнитного резонанса, температурные и угловые зависимости микроволнового поглощения в слабых полях.

Ключевые слова: электронный парамагнитный резонанс, HgSe, микроволновое поглощение, спонтанная намагниченность.

Поступила в редакцию: 29.04.2019
Исправленный вариант: 13.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48299.9149


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:10, 1375–1380

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024