Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe

Проведено теоретическое исследование состояний двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами, учитывающее существенную разницу значений диэлектрической проницаемости слоев барьеров и квантовых ям. Влияние такой разницы и возникающего из-за нее наведенного на гетерограницах заряда описывалось с помощью потенциала зарядов-изображений. Расчет показал существенное изменение энергии связи акцепторных центров – вакансий ртути из-за наведенного заряда, при этом энергии ионизации вакансий ртути хорошо согласуются с положением спектральных особенностей в спектре фотолюминесценции гетероструктур HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами.