RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1285–1288 (Mi phts5418)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении

Р. Х. Жукавинa, С. Г. Павловb, A. Pohlc, Н. В. Абросимовd, H. Riemannd, B. Redliche, H.-W. Hübersbc, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b DLR Institute of Optical Sensor Systems, Berlin, Germany
c Department of Physics, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany
d Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, Berlin, Germany
e ED Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, FELIX Laboratory, Nijmegen, The Netherlands

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований по наблюдению стимулированного излучения в терагерцовом диапазоне частот при оптическом внутрицентровом возбуждении одноосно-деформированного кремния, легированного висмутом. Накачка в представленном эксперименте осуществлялась излучением лазера на свободных электронах FELIX. Показано, что одноосная деформация кристалла кремния приводит к значительному изменению спектра стимулированного излучения примеси.

Ключевые слова: кремний, висмут, одноосное давление, внутрицентровое оптическое возбуждение, перестройка частоты излучения.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48140.24


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1255–1257

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024