RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1289–1292 (Mi phts5419)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью

А. И. Хребтовa, Р. Р. Резникb, Е. В. Убыйвовкc, А. П. Литвинb, И. Д. Скурловb, П. С. Парфёновb, А. С. Кулагинаab, В. В. Даниловd, Г. Э. Цырлинabef

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
d Петербургский государственный университет путей сообщения
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Впервые представлена композитная наноструктура на основе квазиодномерных нитевидных нанокристаллов InP с нановставкой InAsP, выращенных на подложке Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, и нульмерных коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS. Экспериментально подтверждено наличие безызлучательного переноса энергии между составляющими гибридной наноструктуры, а именно между коллоидными квантовыми точками и нановставкой.

Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, коллоидные квантовые точки, безызлучательный перенос энергии.

Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.09.48141.25


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:9, 1258–1261

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024