RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 1,
страницы
162–164
(Mi phts543)
Краткие сообщения
Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (
${\lambda=0.79}$
мкм,
${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$
,
${T=300}$
K)
Ж. И. Алфров
,
Н. Ю. Антонишкис
,
И. Н. Арсентьев
,
Д. З. Гарбузов
,
В. В. Красовский
,
А. В. Тикунов
, В. Б. Халфин
Полный текст:
PDF файл (449 kB)
©
МИАН
, 2024