Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения

Проведены исследования влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения в различных условиях. Для структур с аморфным GaP отжиг при 550$^\circ$C приводит к резкому снижению квантовой эффективности и напряжения холостого хода, в то время как для структур на основе микрокристаллического GaP с эпитаксиальным подслоем наблюдается улучшение фотоэлектрических характеристик. Отжиг при температуре 750$^\circ$C приводит к улучшению фотоэлектрических характеристик для всех структур за счет диффузии атомов фосфора из GaP в Si и создания в подложке слоя $n$-типа проводимости. При увеличении температуры отжига до 900$^\circ$C происходит деградация времени жизни носителей заряда в кремниевой подложке. Показана перспективность использования метода атомно-слоевого осаждения при формировании нуклеационного слоя GaP на поверхности кремния для последующего эпитаксиального роста.