RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1128–1134 (Mi phts5440)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

С. А. Блохинa, М. А. Бобровa, А. А. Блохинab, А. Г. Кузьменковb, Н. А. Малеевa, В. М. Устиновb, Е. С. Колодезныйc, С. С. Рочасc, А. В. Бабичевc, И. И. Новиковc, А. Г. Гладышевc, Л. Я. Карачинскийad, Д. В. Денисовde, К. О. Воропаевfg, А. С. Ионовg, А. Ю. Егоровc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
f Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
g АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20–85$^\circ$C, однако слабая локализация электронов ведет к росту компрессии усиления при повышенных температурах. В результате при температуре 20$^\circ$C частота эффективной модуляции вертикально-излучающих лазеров за счет повышения потерь на вывод излучения может быть увеличена с 9.2 до 11.5 ГГц, тогда как при температуре 85$^\circ$C частота эффективной модуляции не превышает 8.5 ГГц, слабо зависит от потерь на вывод излучения и в основном лимитирована насыщением оптического усиления.

Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, спекание пластин, частота модуляции, время жизни фотонов в резонаторе.

Поступила в редакцию: 25.03.2019
Исправленный вариант: 01.04.2019
Принята в печать: 01.04.2019

DOI: 10.21883/FTP.2019.08.48006.9112


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:8, 1104–1109

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024