RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 793–798 (Mi phts5485)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон

Н. К. Морозоваa, И. Н. Мирошниковаab, В. Г. Галстянc

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
c Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук

Аннотация: В свете теории антипересекающихся зон изучены катодолюминесценция и поглощение пластически деформированных монокристаллов ZnS(O). В растровом электронном микроскопе и по данным катодолюминесценции обнаружена разница в содержании кислорода в поверхностном слое и в объеме образцов. Это объясняет специфику спектрального положения края фундаментального поглощения и экситонных спектров. Представлено в динамике смещение полос самоактивированного свечения на глубоких $A$-центрах (SA-свечения) в процессе деформационной перекристаллизации при увеличении концентрации растворенного кислорода. Установлено ограничение спектрального диапазона возникновения самоактивированного свечения на мелких уровнях – “краевого” свечения. Выяснена природа полос излучения в диапазоне длин волн 336–350 и 364–390 нм. Полученные результаты уточняют энергетическую модель ZnS(O) и могут быть полезны в случае практического использования их структурно-чувствительных свойств.

Поступила в редакцию: 02.07.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47731.8948


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:6, 784–788

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024