RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 1, страницы 178–181 (Mi phts549)

Краткие сообщения

Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å

И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин




© МИАН, 2024