RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 1,
страницы
178–181
(Mi phts549)
Краткие сообщения
Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å
И. Н. Арсентьев
,
Н. Ю. Антонишкис
,
Д. З. Гарбузов
,
В. В. Красовский
,
А. Б. Комиссаров
, В. Б. Халфин
Полный текст:
PDF файл (512 kB)
©
МИАН
, 2024