Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров

Работа посвящена исследованию особенностей формирования высокодобротных замкнутых мод, работающих на эффекте полного внутреннего отражения, в прямоугольных резонаторах большого размера (сотни–тысячи длин волн) на основе лазерных гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs. В работе экспериментально исследованы особенности спектрального состава излучения и пространственных конфигураций модовых структур. Также рассмотрено влияние изменения накачки и температуры на модовый состав излучения.