Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки

Впервые проведены комплексные сравнительные исследования рентгеновскими и оптическими методами ультрафиолетовых фотоприемников c Сr барьерами Шоттки, сформированными на 4$H$-SiC эпитаксиальных слоях, до и после облучения протонами с энергией 15 МэВ флюенсами в интервале (1–4) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$. С увеличением флюенсов облучения протонами наряду с ненарушенной матрицей карбида кремния наблюдалось формирование локализованных областей с отрицательной деформацией. Получено согласие рентгеновских и оптических исследований, позволяющих объяснить особенности спектральных изменений фоточувствительности детекторов в диапазоне 200–400 нм с увеличением флюенсов облучения протонами. Ультрафиолетовые фотоприемники Cr/4$H$-SiC выдерживали облучение протонами с энергией 15 МэВ флюенсом 4 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ практически без изменения фоточувствительности за счет геттерирования простых дефектов кластерными и аморфными образованиями, что приводило к частичному структурному улучшению облученного материала.