Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения

Исследовано влияние протонного облучения на электрические характеристики высоковольтных (3 кВ) инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC. Облучение проводилось через никелевую маску толщиной 10 мкм, энергия протонов и доза облучения составляли 2.8 МэВ и 4 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ соответственно. После облучения дифференциальное сопротивление диодов в прямом направлении увеличивалось на $\sim$35%, заряд обратного восстановления диодов уменьшался в $\sim$3 раза, а характер переключения с прямого направления на обратное становился “жестким”.