RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 587–592 (Mi phts5499)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Термоэлектрические свойства лент In$_{0.2}$Ce$_{0.1}$Co$_{4}$Sb$_{12.3}$, полученных методом быстрой закалки

С. В. Новиковa, А. Т. Бурковa, Х. Тангb, Я. Янb, А. С. Ореховcd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Уханьский технологический университет, Ухань, Китай
c Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
d Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Представлены результаты исследований термоэлектрических свойств соединения In$_{0.2}$Ce$_{0.1}$Co$_{4}$Sb$_{12.3}$, полученного методом быстрой закалки. В процессе быстрой закалки формируются аморфные или частично кристаллизованные тонкие ленты. Полученные таким способом ленты в дальнейшем служат исходным материалом для создания объемных образцов. Однако термоэлектрические свойства исходных лент практически не изучены. В данной работе впервые исследованы термоэдс и электрическое сопротивление аморфных и кристаллических лент при температурах 100–750 K. Определена область стабильности аморфного состояния и изучена кинетика кристаллизации аморфных лент.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47543.01


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 583–588

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025