RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 631–634 (Mi phts5508)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO

Д. С. Панкратоваa, А. П. Новицкийa, К. В. Кусковa, И. А. Сергиенкоa, Д. В. Лейбоa, А. Т. Бурковb, П. П. Константиновb, В. В. Ховайлоa

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования транспортных свойств оксиселенидов химического состава Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO ($x$ = 0.02, 0.04, 0.06) $p$-типа проводимости. По температурным зависимостям удельного электросопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда было выявлено, что замещение ионов Bi$^{3+}$ на ионы La$^{3+}$ приводит к увеличению концентрации носителей заряда, предположительно, за счет генерации дырок, обусловленной формированием вакансий висмута с увеличением степени замещения.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47552.10


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 624–627

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024