RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 635–639 (Mi phts5509)

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя: режим $\Delta T_{\operatorname{max}}$

А. А. Мельниковa, О. М. Тарасовb, А. В. Чековb, М. А. Башкинc

a Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов, г. Москва
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
c АО НПО "Орион", Москва, Россия

Аннотация: Тепловые сопротивления на холодной и горячей стороне оказывают существенное влияние на выходные характеристики термоэлектрических устройств. В работе представлена безразмерная математическая модель термоэлектрического охладителя, позволяющая рассчитывать параметры устройств, такие как оптимальное отношение тепловых сопротивлений на холодной и горячей стороне и оптимальный ток с учетом влияния тепловых сопротивлений. Рассмотрен режим максимального перепада температур $\Delta T_{\operatorname{max}}$. Показано, что оптимальные параметры охладителя для реализации режима $\Delta T_{\operatorname{max}}$ и $Q_{\operatorname{max}}$ отличаются. Для режима $\Delta T_{\operatorname{max}}$ определяющим является влияние теплового сопротивления на горячей стороне, величина оптимального тока в большинстве случаев составляет 0.4–0.7 от максимального для материала при $ZT$ = 1. Показано, что при снижении теплопроводности термоэлектрического материала достигается дополнительное увеличение $\Delta T_{\operatorname{max}}$ охладителя за счет снижения влияния теплового сопротивления на горячей стороне, помимо эффекта от увеличения $ZT$. Аналогичный положительный эффект увеличения $\Delta T_{\operatorname{max}}$ охладителя имеет увеличение высоты ветвей, снижение высоты ветвей сказывается на $\Delta T_{\operatorname{max}}$ отрицательно.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47553.11


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 628–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024