RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 654–658 (Mi phts5513)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$

Л. Н. Лукьянова, И. В. Макаренко, О. А. Усов, П. А. Дементьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$ исследованы поверхностные состояния фермионов Дирака межслоевой ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Морфология поверхности и характер модуляции на линейных профилях изображений, полученных методом туннельной микроскопии, определяется локальными искажениями плотности поверхностных электронных состояний и зависит от состава. Точка Дирака $E_\mathrm{{D}}$ в исследованных составах локализована в запрещенной зоне и смещается к потолку валентной зоны с увеличением содержания Se в твердых растворах $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$. Установлена зависимость между параметрами поверхностных состояний фермионов Дирака (положением точки Дирака, скоростью Ферми, поверхностной концентрацией фермионов) и термоэлектрическими свойствами (коэффициентом Зеебека и параметром мощности) в исследованных термоэлектриках.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47557.15


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 647–651

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024