RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 693–697 (Mi phts5521)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Эффективные кристаллы Bi–Sb для термоэлектрического охлаждения при температурах $T\lesssim$180 K

Н. А. Сидоренко, З. М. Дашевский

ЗАО "Ферротек Норд", г. Москва

Аннотация: Методы экструзии получили широкое распространение в технологии изготовления термоэлектрических материалов с высокими прочностными характеристиками. В данной работе рассмотрен метод экструзии термоэлектрических материалов на основе монокристаллов Bi–Sb в жидкой среде под высоким гидростатическим давлением. Показано, что предложенный метод экструзии позволяет получать упрочненные кристаллы Bi–Sb $n$-типа проводимости с высокими термоэлектрическими характеристиками при температурах $T\lesssim$180 K.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47565.23


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 686–690

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024