RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 698–701 (Mi phts5522)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVI Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения" - 2018 (ISCTA 2018), Санкт-Петербург, 8-12 октября 2018 г.

Материалы на основе твердых растворов халькогенидов висмута $n$-типа проводимости, полученные кристаллизацией расплава в жидкости

Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, А. Г. Мальчев, И. Ю. Нихезина, М. В. Емельянов, Д. С. Никулин

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Исследованы микроструктура, механические и термоэлектрические свойства образцов твердого раствора Bi$_{2}$Te$_3$–Bi$_{2}$Se$_{3}$ $n$-типа проводимости, содержащих 6, 8 и 10 мол% Bi$_{2}$Se$_{3}$, легированные иодидом сурьмы, хлоридом кадмия и гексабромбензолом, полученные горячим прессованием и экструзией гранул, приготовленных кристаллизацией расплава в жидкости и измельченных в ступке, ножевой и планетарной мельницах. Измерения проводили при комнатной температуре и в интервале 100–600 K. Найдены условия получения и составы материалов с пределом прочности $\sim$250 МПа при деформации сжатием и термоэлектрической добротностью $(ZT)_{\operatorname{max}}$ = (0.9–1.0) в интервале температур 320–430 K.

Поступила в редакцию: 20.12.2018
Исправленный вариант: 24.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47566.24


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2019, 53:5, 691–694

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024